[发明专利]具有多个解耦等离子体源的半导体处理系统

摘要

一种半导体衬底处理系统包括衬底支撑件，该衬底支撑件被限定来支撑暴露于处理区域的衬底。该系统还包括第一等离子体室，该第一等离子体室被限定来产生第一等离子体并将所述第一等离子体的反应性成分供应到所述处理区域。该系统还包括第二等离子体室，该第二等离子体室被限定来产生第二等离子体并将所述第二等离子体的反应性成分供应到所述处理区域。所述第一和第二等离子体室被限定为是独立受控的。

主权项

一种半导体衬底处理系统，其包括：衬底支撑件，其被限定来支撑暴露于处理区域的衬底；第一等离子体室，其被限定为在所述第一等离子体室的内部区域产生第一等离子体，并将所述第一等离子体的反应性成分从所述第一等离子体室的内部区域供应到所述处理区域，所述第一等离子体室包括位于所述第一等离子体室的内部区域内的上表面上的第一上电极，所述第一上电极包括至少一个孔，所述孔使得第一处理气体和所述第一等离子体室的内部区域能够流体连通；所述第一等离子体室包括位于所述第一等离子体室的内部区域内的下表面上的第一下电极，所述第一下电极包括至少一个孔，所述孔使得来自所述第一等离子体室的内部区域的第一等离子体的反应性成分能够通过到达所述处理区域，所述第一上电极和所述第一下电极被所述第一等离子体室的内部区域相互隔开；第二等离子体室，其被限定为在所述第二等离子体室的内部区域产生第二等离子体，并将所述第二等离子体的反应性成分从所述第二等离子体室的内部区域供应到所述处理区域，所述第二等离子体室包括位于所述第二等离子体室的内部区域内的上表面上的第二上电极，所述第二上电极包括至少一个孔，所述孔使得第二处理气体和所述第二等离子体室的内部区域能够流体连通；所述第二等离子体室包括位于所述第二等离子体室的内部区域内的下表面上的第二下电极，所述第二下电极包括至少一个孔，所述孔使得来自所述第二等离子体室的内部区域的第二等离子体的反应性成分能够通过到达所述处理区域，所述第二上电极和所述第二下电极与所述衬底支撑件平行，所述第二上电极和所述第二下电极被所述第二等离子体的内部区域相互隔开；其中，所述第一和第二等离子体室被限定为是独立受控的；排放通道，其形成在所述第一和第二等离子体室之间；挡板构件，其被设置在所述第一和第二等离子体室之间的所述排放通道内并与所述第一和第二等离子体室隔开，所述挡板构件配置为可在朝向所述衬底支撑件的第一方向和远离所述衬底支撑件的第二方向移动，所述挡板构件配置为可在所述第一方向和所述第二方向移动而所述第一和第二等离子体室没有相应移动，所述挡板构件设置成尺寸小于所述排放通道，以便使排放物流过所述挡板构件与所述第一和第二等离子体室每一个之间的排放通道。