[发明专利]Ⅲ族氮化物半导体发光元件及其制造方法有效
| 申请号： | 201280022684.4 | 申请日： | 2012-05-16 |
| 公开（公告）号： | CN103518267A | 公开（公告）日： | 2014-01-15 |
| 发明（设计）人： | 宇田川隆 | 申请（专利权）人： | 丰田合成株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32;H01L21/205 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 段承恩;杨光军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种Ⅲ族氮化物半导体发光元件，是pn结型异质结构的Ⅲ族氮化物半导体发光元件，其特征在于，具备：n型氮化铝镓铟层；发光层，其包含与n型氮化铝镓铟层接触地配置并且含有晶格常数比n型氮化铝镓铟层大的晶体的氮化镓铟层；和设置在发光层上的p型氮化铝镓铟层，包含原子半径比n型氮化铝镓铟层内的铟小的元素的施主杂质的原子浓度，与n型氮化铝镓铟层的内部相比在n型氮化铝镓铟层和发光层的界面较低，并且，发光层内的施主杂质的原子浓度，与发光层和n型氮化铝镓铟层的界面相比在发光层和p型氮化铝镓铟层的界面较高。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 发光 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种Ⅲ族氮化物半导体发光元件，是pn结型异质结构的Ⅲ族氮化物半导体发光元件，其特征在于，具备：n型氮化铝镓铟层；发光层，其包含与所述n型氮化铝镓铟层接触地配置并且含有晶格常数比该n型氮化铝镓铟层大的晶体的氮化镓铟层；和设置在所述发光层上的p型氮化铝镓铟层，包含原子半径比所述n型氮化铝镓铟层内的铟小的元素的施主杂质的原子浓度，与该n型氮化铝镓铟层的内部相比在该n型氮化铝镓铟层和所述发光层的界面较低，并且，所述发光层内的所述施主杂质的原子浓度，与该发光层和所述n型氮化铝镓铟层的界面相比在该发光层和p型氮化铝镓铟层的界面较高。
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