[发明专利]具有均匀的Ga分布的CIGS薄膜的制造方法有效
| 申请号： | 201280023367.4 | 申请日： | 2012-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN103548153A | 公开（公告）日： | 2014-01-29 |
| 发明（设计）人： | 安世镇;尹载浩;郭智惠;赵雅拉;尹庆勋;申基植;安承奎;赵俊植;朴相炫;鱼英柱;柳镇洙;朴柱炯;金庆岩 | 申请（专利权）人： | 韩国能源技术研究院 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/032;C23C14/06;C23C14/34;C23C14/58 |
| 代理公司： | 北京冠和权律师事务所 11399 | 代理人： | 龚建华 |
| 地址： | 韩国大田*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供一种具有均匀的Ga分布的CIGS薄膜的制造方法及利用该方法的太阳能电池的制造方法。本发明的太阳能电池用CIGS薄膜的制造方法包括下列步骤：步骤a，在基板上形成包含硒化物(selenide)系列化合物的Cu-In-Ga-Se前驱体薄膜，该硒化物系列化合物具备共价结构；及步骤b，把上述a步骤所形成的前驱体薄膜予以硒化(selenization)热处理。凭此，把CIGS前驱体薄膜改成共价结构的硒化物系列化合物而在Se氛围进行热处理时抑制Ga的偏析，让CIGS薄膜内Ga分布均匀化，最后得以提高利用它的太阳能电池的效率。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 均匀 ga 分布 cigs 薄膜 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种具有均匀的Ga分布的CIGS薄膜的制造方法，其特征在于，包括下列步骤：步骤a，在基板上形成包含硒化物(selenide)系列化合物的Cu‑In‑Ga‑Se前驱体薄膜，该硒化物系列化合物具备共价结构；及步骤b，把上述步骤a所形成的前驱体薄膜予以硒化(selenization)热处理。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
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