[发明专利]用于控制在处理腔室中的多区域加热器的温度的方法及装置在审
申请号: | 201280023374.4 | 申请日: | 2012-05-17 |
公开(公告)号: | CN103563065A | 公开(公告)日: | 2014-02-05 |
发明(设计)人: | 哈里·基肖尔·安巴拉;尤纬·保罗·哈勒;周建华 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L21/02 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国;赵静 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明提供用于控制在处理腔室内的多区域加热器的温度的方法与装置。在一些实施方式中,提供控制多区域加热器的方法,所述多区域加热器被配置在基板支撑件上,其中所述多区域加热器具有第一区域与第二区域。在一些实施方式中,所述方法可包括以下步骤:测量在第一时间内被第一区域获取的电流;测量在第一时间内被第一区域获取的电压;根据在第一时间内测量到的被第一区域获取的电流与电压计算出第一区域的电阻;根据在第一区域的电阻与温度之间的预定关系来确定第一区域的温度;和调整第一区域的温度以响应温度确定。 | ||
搜索关键词: | 用于 控制 处理 中的 区域 加热器 温度 方法 装置 | ||
【主权项】:
一种装置,所述装置包括:多区域加热器,所述多区域加热器配置于基板支撑件中;电源,所述电源提供第一功率馈送至所述多区域加热器的第一区域,且所述电源提供第二功率馈送至所述多区域加热器的第二区域;电阻测量器件,所述电阻测量器件耦合至所述第一功率馈送以测量所述第一区域获取的电流与电压,所述测量彼此间隔至多约110毫秒内;及控制器,所述控制器耦合至所述电源和所述电阻测量器件以响应从所述电阻测量器件接收的数据来控制所述电源。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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