[发明专利]CMP垫调整器及用于制造CMP垫调整器的方法有效
| 申请号： | 201280023632.9 | 申请日： | 2012-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN103534790A | 公开（公告）日： | 2014-01-22 |
| 发明（设计）人： | 李世珖;金渊澈;李周翰;崔在光;夫在弼 | 申请（专利权）人： | 二和钻石工业股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304 |
| 代理公司： | 北京润平知识产权代理有限公司 11283 | 代理人： | 李翔;黄志兴 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种供化学机械抛光（CMP）垫用的调整器，CMP垫使用于一种属于半导体装置制造过程的一部分的CMP制程。特别地，本发明涉及一种CMP垫调整器，该CMP垫调整器中，切割尖端的构造即使在使用不同种类的研磨浆时及在调整器的压力有改变时，也能使抛光垫的磨耗度的改变并不大。本发明还涉及一种用于制造CMP垫调整器的方法。 | ||
| 搜索关键词： | cmp 调整器 用于 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种CMP垫调整器，包括：基板；以及多个切割尖端，该多个切割尖端从所述基板的表面向上突出且相互隔开，其中所述切割尖端具有一种构造，该构造为所述切割尖端的上表面是平行于所述基板的表面的平面，以及在调整时，施加至各个所述切割尖端的平均压力的范围从0.001lbf/cm2/ea至0.2lbf/cm2/ea。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于二和钻石工业股份有限公司，未经二和钻石工业股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201280023632.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
