[发明专利]横向半导体器件无效
| 申请号： | 201280023653.0 | 申请日： | 2012-05-10 |
| 公开（公告）号： | CN103548147A | 公开（公告）日： | 2014-01-29 |
| 发明（设计）人： | 铃木隆司;户仓规仁;白木聪;高桥茂树;芦田洋一;山田明 | 申请（专利权）人： | 株式会社电装 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L21/329;H01L29/06;H01L29/868 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 陈松涛;夏青 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种横向半导体器件包括半导体层（16）、绝缘层（37）以及电阻性场板（30）。所述半导体层（16）包括表面部分处的第二半导体区（23）和第一半导体区（28），所述第二半导体区（23）构成所述第一半导体区（28）周围的电路。所述绝缘层（37）形成在所述半导体层（16）的表面上并且布置在所述第一半导体区和所述第二半导体区（28，23）之间。所述电阻性场板（30）形成在所述绝缘层（37）的表面上。在所述第一半导体区和所述第二半导体区（28，23）之间，第一部分和第二部分沿着所述第一半导体区（28）周围的外周方向彼此相邻。所述电阻性场板（30）包括分别形成在所述第一部分和第二部分中的第一和第二电阻性场板部分（34），并且所述第一和第二电阻性场板部分（34）彼此分离。 | ||
| 搜索关键词： | 横向 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种横向半导体器件，包括：半导体层（16），所述半导体层（16）包括表面部分处的第二半导体区（23）和第一半导体区（28），所述第二半导体区（23）构成所述第一半导体区周围的电路；绝缘层（37），所述绝缘层（37）形成在所述半导体层（16）的表面上并且布置在所述第一半导体区（28）和所述第二半导体区（23）之间；以及电阻性场板（30），所述电阻性场板（30）形成在所述绝缘层（37）的表面上，所述电阻性场板（30）的一个端部与所述第一半导体区（28）电连接，所述电阻性场板（30）的另一端部与所述第二半导体区（23）电连接，其中当在平面中观察时，在所述第一半导体区（28）和所述第二半导体区（23）之间，第一部分和第二部分沿着所述第一半导体区（28）周围的外周方向彼此相邻，所述电阻性场板（30）包括第一电阻性场板部分（34）和第二电阻性场板部分（34），所述第一电阻性场板部分（34）形成在所述第一部分中并且沿着所述外周方向重复往返，所述第二电阻性场板部分（34）形成在所述第二部分中并且沿着所述外周方向重复往返，并且形成在所述第一部分中的所述第一电阻性场板部分（34）与形成在所述第二部分中的所述第二电阻性场板部分（34）彼此分离。
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