[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201280024242.3 | 申请日： | 2012-06-06 |
| 公开（公告）号： | CN103548127A | 公开（公告）日： | 2014-01-29 |
| 发明（设计）人： | 根来升;梅田英和;平下奈奈子;上田哲三 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/338 | 分类号： | H01L21/338;H01L21/205;H01L21/336;H01L29/778;H01L29/78;H01L29/786;H01L29/812 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 樊建中 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体装置，具备：基板(101)；载流子渡越层(103)，其由形成在基板上的III族氮化物半导体构成，使载流子在沿基板的主面的方向上渡越；势垒层(104)，其形成于载流子渡越层上，由带隙比第一III族氮化物半导体更大的第二III族氮化物半导体构成；和电极(106)，其形成于势垒层上。进而具备：帽层(105)，其形成在势垒层(104)上且形成于电极的侧方的区域，由单晶与多晶混合存在的第三III族氮化物半导体构成。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，具备：基板；载流子渡越层，其由形成在所述基板上的第一III族氮化物半导体构成，且其中载流子在沿所述基板的主面的方向上渡越；势垒层，其形成在所述载流子渡越层上，由带隙比所述第一III族氮化物半导体更大的第二III族氮化物半导体构成；电极，其形成在所述势垒层上；和帽层，其形成在所述势垒层上且形成在所述电极的侧方区域，由单晶与多晶混合存在的第三III族氮化物半导体构成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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