[发明专利]用于预处理III族氮化物沉积的方法有效
| 申请号： | 201280024289.X | 申请日： | 2012-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN103548116B | 公开（公告）日： | 2016-11-23 |
| 发明（设计）人： | 尤里·梅尔尼克;陈璐;湖尻英彦 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L33/00;H01L33/32 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国;赵静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本公开内容的实施方式涉及用于预处理基板和III族氮化物层以制造诸如发光二极管（LED）、激光二极管（LD）或功率电子器件之类的器件的方法。本公开内容的一个实施方式提供一种方法，包括以下步骤：提供一个或更多个具有含铝表面的基板至处理腔室中，及使一个或更多个具有含铝表面的基板中的每一个基板的表面暴露至预处理气体混合而形成预处理表面。预处理气体混合物包括氨（NH3）、卤化铝气体（例如AlCl3、AlCl）和含蚀刻剂气体，含蚀刻剂气体包括卤素气体（例如Cl2）或卤化氢气体（例如HCl）。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 预处理 iii 氮化物 沉积 方法 | ||
【主权项】：
一种预处理方法，包括以下步骤：提供一个或更多个基板至处理腔室中，所述一个或更多个基板具有含铝表面；以及通过流入氨气和卤化氢气体至所述处理腔室的处理区域，且流入卤化铝气体至所述处理区域以容许在预处理期间独立控制蚀刻及沉积，使所述一个或更多个基板中的每一个基板的基板表面暴露至第一预处理气体混合物而形成所述一个或更多个基板中的每一个基板的预处理表面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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