[发明专利]半导体制造装置部件的清洗方法、半导体制造装置部件的清洗装置及气相生长装置有效
| 申请号： | 201280024377.X | 申请日： | 2012-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN103597583A | 公开（公告）日： | 2014-02-19 |
| 发明（设计）人： | 水田正志;矢口裕一;锦织豊 | 申请（专利权）人： | 古河机械金属株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;B08B5/00;C23C16/44;H01L21/205;H01L21/3065 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 张永康;向勇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 在具备气体导入管（104）和气体排出管（105）的清洗装置（100）内配置附着有用通式AlxInyGa1-x-yN（其中，x、y为0≤x＜1，0≤y＜1、0≤x+y＜1。）表示的氮化物半导体的半导体制造装置部件（101）。将装置内变成减压状态后，从气体导入管（104）导入含卤素气体，并将装置内的压力变成10kPa以上且90kPa以下。之后，在装置内保持含卤素气体，从而除去附着在半导体制造装置部件（101）上的氮化物半导体。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 制造 装置 部件 清洗 方法 相生 | ||
【主权项】：
一种半导体制造装置部件的清洗方法，其在实施第一工序和第二工序之后，实施第三工序，所述第一工序将附着有用通式AlxInyGa1‑x‑yN表示的氮化物半导体的半导体制造装置部件配置在具备气体导入管和气体排出管的装置内，通式中，x、y为0≤x＜1，0≤y＜1、0≤x+y＜1，所述第二工序将所述装置内变成减压状态后，从所述气体导入管导入含卤素气体，所述第三工序在所述装置内保持所述含卤素气体，并除去附着在所述半导体制造装置部件上的所述氮化物半导体，其特征在于，所述第三工序的所述装置内的压力是10kPa以上且90kPa以下。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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