[发明专利]用于在分层的半导体结构中形成竖直导电连接的方法

摘要

本发明提供了一种用于在分层的半导体结构（1）中形成竖直导电连接（50）的方法，包括以下步骤‑设置（100）分层的半导体结构（1），所述分层的半导体结构（1）包括‑支持衬底（20），所述支持衬底（20）包括第一表面（22）和第二表面（24），‑绝缘层（30），所述绝缘层（30）覆盖支持衬底（20）的第一表面（22），以及‑至少一个器件结构（40），所述至少一个器件结构（40）形成在所述绝缘层（30）中；以及‑从所述支持衬底（20）的第二表面向上到器件结构（40）钻孔出通孔（50），以便暴露所述器件结构（40）（300）。其特征在于，绝缘层的钻孔（300）至少通过湿法蚀刻（320）来进行。

主权项

一种用于在分层的半导体结构中形成竖直导电连接的方法，包括以下步骤：‑设置分层的半导体结构，所述分层的半导体结构包括：‑支持衬底，所述支持衬底包括第一表面和第二表面，‑绝缘层，所述绝缘层覆盖所述支持衬底的第一表面，以及‑至少一个器件结构，所述至少一个器件结构形成在所述绝缘层中；‑从所述支持衬底的第二表面向上到所述器件结构钻出通孔，以便暴露所述器件结构；其中，所述绝缘层的钻孔至少部分地通过湿法蚀刻来进行，以及‑通过使所述通孔的表面与液体溶液接触，用绝缘薄膜湿法涂覆所述通孔，以便获得均匀的绝缘薄膜，其中所述通孔的湿法涂覆是选择性的并且仅在所述支持衬底的附近处涂覆所述通孔。