[发明专利]作为用于MRI RF线圈的失谐电路的FET开关有效
申请号: | 201280025121.0 | 申请日: | 2012-05-22 |
公开(公告)号: | CN103547937A | 公开(公告)日: | 2014-01-29 |
发明(设计)人: | A·赖高斯基;R·豪森 | 申请(专利权)人: | 皇家飞利浦有限公司 |
主分类号: | G01R33/36 | 分类号: | G01R33/36 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 王英;刘炳胜 |
地址: | 荷兰艾*** | 国省代码: | 荷兰;NL |
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摘要: | 一种用于在磁共振中使用的射频(RF)线圈组件包括射频线圈(42,100)和电子开关(28),所述电子开关在断开状态和闭合状态之间切换,从而使所述线圈失谐,以及将其调谐到预选共振频率。每一电子开关包括至少一个场效应晶体管(FET)(70)和偏置网络(72)。 | ||
搜索关键词: | 作为 用于 mri rf 线圈 失谐 电路 fet 开关 | ||
【主权项】:
一种用于在磁共振中使用的射频(RF)线圈组件,其包括:射频线圈(42,100);以及电子开关(28),其在断开和闭合状态之间进行切换以使所述线圈(42,100)失谐和调谐至预选共振频率,每一电子开关(28)包括:至少一个场效应晶体管(FET)(70)和偏置网络(72)。
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