[发明专利]凹陷终端结构和带有凹陷终端结构的电子器件的制备方法有效
| 申请号： | 201280025170.4 | 申请日： | 2012-04-04 |
| 公开（公告）号： | CN103563087B | 公开（公告）日： | 2017-07-14 |
| 发明（设计）人： | 张清纯;J·亨宁 | 申请（专利权）人： | 克里公司 |
| 主分类号： | H01L29/812 | 分类号： | H01L29/812 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 | 代理人： | 金晓 |
| 地址： | 美国北*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种电子器件，包括漂移区，肖特基接触，位于所述漂移区的表面上；以及边缘终端结构，位于所述漂移区内与所述肖特基接触相邻。边缘终端结构包括凹陷区，所述凹陷区从所述漂移区的表面凹陷距离d，距离d可以为约0.5微米。 | ||
| 搜索关键词： | 凹陷 终端 结构 带有 电子器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种电子器件，包括：漂移区；肖特基接触，位于所述漂移区的表面上；边缘终端，位于所述漂移区内与所述肖特基接触相邻，其中所述边缘终端包括凹陷区和所述凹陷区内的边缘终端结构，所述凹陷区从所述漂移区的表面凹陷距离d；在所述肖特基接触之下位于所述漂移区的表面处的上保护环；其中所述边缘终端结构包括所述凹陷区的表面处的多个下保护环和所述凹陷区的表面处的轻掺杂区，其中所述多个下保护环延伸到所述轻掺杂区中，并且其中所述下保护环通过至少一个间隙彼此分隔，并且其中所述上保护环、所述轻掺杂区和所述多个下保护环具有与所述漂移区的第一导电类型相反的第二导电类型。
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