[发明专利]硅氧烷低聚物的制造方法无效

专利信息
申请号: 201280025277.9 申请日: 2012-05-22
公开(公告)号: CN103562211A 公开(公告)日: 2014-02-05
发明(设计)人: 山谷学;秋本三季;桑野英昭 申请(专利权)人: 三菱丽阳株式会社
主分类号: C07F7/08 分类号: C07F7/08;C08G77/08;C09D7/12;C09D183/00
代理公司: 上海市华诚律师事务所 31210 代理人: 刘香兰
地址: 日本国东京都千*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明的目的是提供环状体量少、且高分子量的硅氧烷低聚物的制造方法。本发明的一个方式是一种硅氧烷低聚物的制造方法,其特征在于,使用规定式表示的2-羟基羧酸化合物作为催化剂,水解并缩合烷氧基硅烷。通过本发明的制造方法,可以合成具有环状体结构的硅氧烷的含量少,且分子量高的硅氧烷低聚物。
搜索关键词: 硅氧烷低聚物 制造 方法
【主权项】:
1.一种硅氧烷低聚物的制造方法,其特征在于,使用式(1)表示的2-羟基羧酸化合物作为催化剂,水解烷氧基硅烷并使其缩合;式(1)中,R1以及R2各自独立地表示氢原子、羟基、具有取代基或者不具有取代基的总碳原子数为1~20的饱和烃基、具有取代基或者不具有取代基的总碳原子数为2~20的不饱和烃基、具有取代基或者不具有取代基的总碳原子数为6~20的芳香族烃基、羧基、总碳原子数为2~20的酯基或者总碳原子数为2~20的酰基;或者,R1和R2通过饱和烃基链或者不饱和烃基链结合,所述饱和烃基链具有取代基或者不具有取代基,所述不饱和烃基链具有取代基或者不具有取代基;R1和R2的取代基选自羟基、饱和烃基、不饱和烃基、芳香族烃基、酯基、羧基以及酰基中的1个或者多个。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三菱丽阳株式会社,未经三菱丽阳株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201280025277.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top