[发明专利]硅氧烷低聚物的制造方法无效
申请号: | 201280025277.9 | 申请日: | 2012-05-22 |
公开(公告)号: | CN103562211A | 公开(公告)日: | 2014-02-05 |
发明(设计)人: | 山谷学;秋本三季;桑野英昭 | 申请(专利权)人: | 三菱丽阳株式会社 |
主分类号: | C07F7/08 | 分类号: | C07F7/08;C08G77/08;C09D7/12;C09D183/00 |
代理公司: | 上海市华诚律师事务所 31210 | 代理人: | 刘香兰 |
地址: | 日本国东京都千*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明的目的是提供环状体量少、且高分子量的硅氧烷低聚物的制造方法。本发明的一个方式是一种硅氧烷低聚物的制造方法,其特征在于,使用规定式表示的2-羟基羧酸化合物作为催化剂,水解并缩合烷氧基硅烷。通过本发明的制造方法,可以合成具有环状体结构的硅氧烷的含量少,且分子量高的硅氧烷低聚物。 | ||
搜索关键词: | 硅氧烷低聚物 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种硅氧烷低聚物的制造方法,其特征在于,使用式(1)表示的2-羟基羧酸化合物作为催化剂,水解烷氧基硅烷并使其缩合;
式(1)中,R1以及R2各自独立地表示氢原子、羟基、具有取代基或者不具有取代基的总碳原子数为1~20的饱和烃基、具有取代基或者不具有取代基的总碳原子数为2~20的不饱和烃基、具有取代基或者不具有取代基的总碳原子数为6~20的芳香族烃基、羧基、总碳原子数为2~20的酯基或者总碳原子数为2~20的酰基;或者,R1和R2通过饱和烃基链或者不饱和烃基链结合,所述饱和烃基链具有取代基或者不具有取代基,所述不饱和烃基链具有取代基或者不具有取代基;R1和R2的取代基选自羟基、饱和烃基、不饱和烃基、芳香族烃基、酯基、羧基以及酰基中的1个或者多个。
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