[发明专利]交叉指状垂直原生电容器有效
申请号: | 201280025990.3 | 申请日: | 2012-06-05 |
公开(公告)号: | CN103597598A | 公开(公告)日: | 2014-02-19 |
发明(设计)人: | E.汤普森;小罗杰.A.布思;陆宁;C.S.帕特纳姆 | 申请(专利权)人: | 国际商业机器公司 |
主分类号: | H01L27/108 | 分类号: | H01L27/108;H01L21/8242 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 焦玉恒 |
地址: | 美国纽*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 金属电容器结构包括多个线层结构(15、16、25、26),其与通路层结构(31、32、33、34、41、42)垂直互连。每个第一线层结构(15或25)和每个第二线层结构(16或26)包括一组平行金属线(11或21、12或22),其在端部上物理地结合到具有矩形水平截面区域的矩形标签结构(13或23、14或24)。第一线层结构(15或25)内的第一组平行金属线(11或21)和第二线层结构(16或26)内的第二组平行金属线(12或22)交叉指状且彼此平行,并且可共同形成交叉指状均匀节距结构((11、12)或(21、22))。因为矩形标签结构(13或23、14或24)在矩形标签结构(13或23、14或24)的两个相向侧壁中间的区域内不朝着彼此突出,所以亚分辨率辅助特征(SRAFs)可用于在交叉指状均匀节距结构((11、12)或(21、22))的整体上提供均匀宽度和均匀节距。 | ||
搜索关键词: | 交叉 垂直 原生 电容器 | ||
【主权项】:
一种金属电容器结构,包括多个线层结构(15、16、25、26)和至少一个通路层结构(31、32、33、34、41或42),其中,在每个线层,所述多个线层结构(15、16、25、26)包括:第一线层结构(15或25),包括具有第一长方体形状的第一矩形标签结构(13或23)和第一多个平行金属线(11或21),所述第一多个平行金属线(11或21)从所述第一矩形标签结构(13或23)的侧壁突出且与所述第一矩形标签结构(13或23)的侧壁邻接;以及第二线层结构(16或26),包括具有第二长方体形状的第二矩形标签结构(14或24)和第二多个平行金属线(12或22),所述第二多个平行金属线(12或22)从所述第二矩形标签结构(14或24)突出且与所述第二矩形标签结构(14或24)邻接,其中所述第一多个平行金属线(11或21)和所述第二多个平行金属线(12或22)共同构成在一个方向上具有节距的交叉指状均匀节距结构((11、12)或(21、22)),并且所述第一矩形标签结构(13或23)和所述第二矩形标签结构(14或24)不突出进入所述第一矩形标签结构(13或23)的所述侧壁和所述第二矩形标签结构(14或24)的所述侧壁之间的区域。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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