[发明专利]自适应配方选择器有效
| 申请号： | 201280026144.3 | 申请日： | 2012-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN104040679A | 公开（公告）日： | 2014-09-10 |
| 发明（设计）人： | 拉达·孙达拉扬;梅里特·芬克;陈立;巴顿·莱恩 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H01L21/311;H01L21/3213 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王萍;韩炜 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种处理晶圆的方法使用可以包括一个或更多个测量制程、一个或更多个离子能量控制（IEC）蚀刻工序以及一个或更多个离子能量优化（IEO）蚀刻制程的离子能量（IE）相关多层处理工序以及离子能量控制多输入/多输出（IEC-MIMO）模型和库。IEC-MIMO处理控制使用在多个层和/或多个IEC蚀刻工序之间的动态相互作用的行为建模。多个层和/或多个IEC蚀刻工序可以与可以使用IEO蚀刻制程来形成的线结构、沟槽结构、通孔结构、间隔结构、接触结构以及栅结构的形成相关联。 | ||
| 搜索关键词： | 自适应 配方 选择器 | ||
【主权项】：
一种用于处理晶圆的方法，包括：通过处理系统接收第一组图案化晶圆以及相关联的离子能量IE数据，每个所述图案化晶圆具有位于其上的第一图案化软掩模层以及多个附加层；从所述第一组图案化晶圆中选择第一图案化晶圆；使用所述IE数据建立用于所选择的图案化晶圆的第一离子能量IE相关处理工序；确定所述第一IE相关处理工序是否包括第一离子能量控制IEC蚀刻工序；当所述第一IE相关处理工序包括所述第一IEC蚀刻工序时，执行所述第一IEC蚀刻工序，其中在使用所述第一组图案化晶圆执行所述第一IEC蚀刻工序时，形成第二组图案化晶圆；以及当所述第一IE相关处理工序不包括所述第一IEC蚀刻工序时，执行至少一个校正动作。
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