[发明专利]具有应力增强的可调触发电压的可控硅整流器有效
| 申请号： | 201280026479.5 | 申请日： | 2012-06-01 |
| 公开（公告）号： | CN103907191B | 公开（公告）日： | 2017-09-19 |
| 发明（设计）人： | R.卡米洛-卡斯蒂洛;E.M.达尔斯特罗姆;R.J.高蒂尔;E.G.格布雷塞拉西;R.A.费尔普斯;石云;A.斯特里克 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L29/02 | 分类号： | H01L29/02 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所11105 | 代理人： | 焦玉恒 |
| 地址： | 美国纽*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 可控硅整流器的装置结构、制造方法、操作方法和设计结构。该方法包括以足以调制可控硅整流器（SCR）的触发电流的水平施加机械应力到SCR的一个区域。该装置和设计结构包括SCR（62），SCR（62）具有阳极（63）、阴极（65）、第一区域（14）和导电类型与第一区域相反的第二区域（16）。SCR的第一和第二区域设置在SCR的阳极和阴极之间的载流通道中。层（26）相对于第一区域设置在半导体衬底（30）的顶表面上，并且构造成使在SCR的第一区域中引起的机械应力处于足以调制SCR的触发电流的水平。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 应力 增强 可调 触发 电压 可控 硅整流器 | ||
【主权项】：
一种调制可控硅整流器(SCR)的触发电流的方法，该方法包括：从第一应力层以足以调整该SCR的第一阱的电阻的水平施加第一机械应力到该第一阱，从而调制该SCR的该触发电流，其中，该第一阱位于半导体衬底中，该第一应力层形成在该半导体衬底的顶表面上的相对于该第一阱的位置，该第一应力层覆盖所述SCR的源极/漏极区域的至少一部分、以及为该第一阱提供电接触的第一阱接触区域的一部分。
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