[发明专利]用于自发式材料剥落的低温方法无效
| 申请号： | 201280026784.4 | 申请日： | 2012-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN103582934A | 公开（公告）日： | 2014-02-12 |
| 发明（设计）人： | M·M·卡亚特;N·E·索萨科提斯;K·L·森格尔;S·W·比德尔;D·K·萨达那 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司;阿卜杜勒阿齐兹国王科技城 |
| 主分类号： | H01L21/30 | 分类号： | H01L21/30 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 贺月娇;于静 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供了用于以下（i）和（ii）的方法：（i）在材料剥落过程中引入额外的控制，由此改善裂缝引发和传播，以及（ii）增加可选择的剥落深度的范围。在一个实施例中，该方法包括在第一温度下在基体衬底的表面上设置应力源层，所述第一温度为室温。接下来,使包括所述应力源层的所述基体衬底处于低于室温的第二温度。在所述第二温度下剥落所述基体衬底，以形成剥落的材料层。之后，将所述剥落的材料层恢复到室温，即，所述第一温度。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 发式 材料 剥落 低温 方法 | ||
【主权项】：
一种用于从基体衬底的表面分离材料层的方法，所述方法包括：在第一温度下在基体衬底的表面上设置应力源层，所述第一温度为室温；使包括所述应力源层的所述基体衬底处于低于室温的第二温度；在所述第二温度下剥落所述基体衬底以形成剥落的材料层；以及将所述剥落的材料层恢复到室温。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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