[发明专利]对铜、钨和多孔低κ电介质具有增强的相容性的半水性聚合物移除组合物

摘要

提供了有效的用于从半导体衬底移除后蚀刻处理(PET)聚合物膜和光致抗蚀剂的一种组合物。该组合物展现出优异的聚合物膜移除能力，而同时维持了对于铜和低κ电介质的相容性，并且包含水、乙二醇、二醇醚溶剂、吗啉代丙胺和腐蚀抑制剂化合物，以及任选地包含一种或多种金属离子螯合剂、一种或多种其他极性有机溶剂、一种或多种叔胺、一种或多种铝腐蚀抑制剂、以及一种或多种表面活性剂。

主权项

一种用于从微电子设备移除蚀刻处理后聚合物膜的移除组合物，所述组合物包含：(a)5％至49％重量的水；(b)2％至20％重量的乙二醇；(c)30％至70％重量的一种或多种二醇醚溶剂；(d)0.5％至20％重量的吗啉代丙胺；(e)0.1％至0.5％重量的腐蚀抑制剂化合物，其选自甲基苯并三唑和甲苯基三唑；且任选地包含一种或多种以下组分：(f)一种或多种金属离子螯合剂，当存在于所述组合物中时，量为0.01％至1％重量；(g)一种或多种其他极性有机溶剂，当存在于所述组合物中时，量为0.5％至40％重量；(h)一种或多种叔胺，当存在于所述组合物中时，量为2％至12％重量；(i)一种或多种儿茶酚或烷基儿茶酚，当存在于所述组合物中时，量为0.01％至10％重量；以及(j)一种或多种表面活性剂，当存在于所述组合物中时，量为0.01％至1％重量。