[发明专利]太阳能电池的制造方法有效
| 申请号： | 201280027090.2 | 申请日： | 2012-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN103597604A | 公开（公告）日： | 2014-02-19 |
| 发明（设计）人： | 中井拓夫;吉村直记;岛正树 | 申请（专利权）人： | 三洋电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L31/0236 | 分类号： | H01L31/0236;H01L31/18;H01L21/306 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 缩短制造太阳能电池所需要的时间。使用蚀刻液对结晶硅基板（10B）的主面（10B1）、（10B2）进行蚀刻，之后使用蚀刻成分的浓度高于上述蚀刻液的其他蚀刻液，以比使用上述蚀刻液进行的蚀刻低的蚀刻速度，进行结晶硅基板（10B）的主面（10B1）、（10B2）的蚀刻，从而在结晶硅基板（10B）的主面（10B1）、（10B2）形成纹理结构。 | ||
| 搜索关键词： | 太阳能电池 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种具备结晶硅基板的太阳能电池的制造方法，所述结晶硅基板具有形成有纹理结构的主面，所述制造方法的特征在于：使用蚀刻液对结晶硅基板的主面进行蚀刻，之后，使用蚀刻成分的浓度高于所述蚀刻液的其他蚀刻液，以比使用所述蚀刻液进行的蚀刻低的蚀刻速度，进行所述结晶硅基板的主面的蚀刻，从而在结晶硅基板的主面形成纹理结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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