[发明专利]SiC单晶体的制造装置以及SiC单晶体的制造方法在审
| 申请号： | 201280027428.4 | 申请日： | 2012-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN103620094A | 公开（公告）日： | 2014-03-05 |
| 发明（设计）人： | 楠一彦;龟井一人;矢代将齐;冈田信宏;大黑宽典;加渡干尚;坂元秀光 | 申请（专利权）人： | 新日铁住金株式会社;丰田自动车株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B19/06 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;张会华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的目的在于提供能够对安装于籽晶轴的晶种高效地进行冷却的SiC单晶体的制造装置。该制造装置具备：坩埚（14），其用于容纳Si－C溶液（16）；以及籽晶轴（30），具有供SiC晶种（36）安装的下端面（34）。籽晶轴包括：内管（48），其在坩埚的高度方向上延伸，在自身内侧形成第1流路（60）；外管（50），其容纳内管，在该外管（50）与内管之间形成第2流路（SP1）；以及底部，其覆盖外管的下端开口且具有下端面。第1流路以及第2流路中的一者是供冷却气体向下方流动的导入流路，另一者是供冷却气体向上方流动的排出流路。从籽晶轴的轴向观察，SiC晶种的60%以上的区域与形成导入流路的管的内侧的区域重叠。 | ||
| 搜索关键词： | sic 单晶体 制造 装置 以及 方法 | ||
【主权项】：
一种制造装置，其是SiC单晶体的制造装置，该制造装置包括：坩埚，其用于容纳Si－C溶液；以及籽晶轴，其具有供SiC晶种安装的下端面，上述籽晶轴包括：内管，其在自身内侧形成第1流路；外管，其容纳上述内管，在该外管与上述内管之间形成第2流路；以及底部，其覆盖上述外管的下端开口且具有上述下端面，上述第1流路以及上述第2流路中的一者是供冷却气体向下方流动的导入流路，另一者是供上述冷却气体向上方流动的排出流路，从上述籽晶轴的轴向观察，上述SiC晶种的60%以上的区域与形成上述导入流路的管的内侧区域重叠。
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