[发明专利]超薄功率晶体管和具有定制占位面积的同步降压变换器

摘要

本发明涉及一种封装的功率晶体管器件（100），其具有引线框，所述引线框包括扁平板片（110）和被所述板片隔开的共面扁平条带（120），所述板片具有第一厚度（110a），并且所述条带具有比所述第一厚度更小的第二厚度（120a），所述板片和条带具有端子（212；121a）。一种场效应功率晶体管芯片（210），其具有第三厚度（210a），在所述芯片一侧的第一和第二接触焊盘，以及在所述芯片相反侧的第三接触焊盘（211），所述第一焊盘被连接到所述板片，所述第二焊盘被连接到所述条带，并且所述第三焊盘与所述端子共面。板片与条带之间厚度差异以及芯片与端子之间的间隔由封装化合物（130）填充，其中所述化合物具有与所述板片表面（111）共面的表面（101），以及与所述第三焊盘（211）和端子（212；212a）共面的相反表面（102），所述表面之间的距离（104）等于所述第一（110a）和第三（210a）厚度的总和。

主权项

一种功率晶体管封装组件，其包括：引线框，其包括扁平板片和与所述扁平板片隔开的共面扁平条带，所述扁平板片具有第一厚度，并且所述条带具有比所述第一厚度小的第二厚度，所述扁平板片和条带具有端子；具有第三厚度的场效应功率晶体管芯片，第一接触焊盘和第二接触焊盘在所述芯片的一侧，并且第三接触接触焊盘在相反芯片侧，所述第一接触焊盘连接到所述扁平板片，所述第二接触焊盘连接到所述条带，并且所述第三接触焊盘与所述端子共面；以及封装化合物，其填充扁平板片与条带之间厚度差异以及芯片与端子之间的间隔，其中所述封装化合物具有与所述扁平板片共面的表面，以及与所述第三接触焊盘和所述端子共面的相反表面，所述封装化合物的所述表面之间的距离等于所述第一厚度和第三厚度的总和。