[发明专利]具有光耦合层的发光装置有效
| 申请号： | 201280028463.8 | 申请日： | 2012-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN103636008A | 公开（公告）日： | 2014-03-12 |
| 发明（设计）人： | 严莉;林朝坤;C-W·庄 | 申请（专利权）人： | 东芝技术中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/30 | 分类号： | H01L33/30;H01L33/22 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 韩宏;陈松涛 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 发明提供一种发光装置，所述发光装置包括n型半导体材料的第一层、p型半导体材料的第二层、以及在第一层与第二层之间的有源层。光耦合层与第一层和第二层中的一个相邻。在某些情况下，通过对发光装置的缓冲层进行粗糙化来形成光耦合层。所述发光装置包括电极，其通过光耦合层的一部分与所述第一层或所述第二层中的一个电连通。 | ||
| 搜索关键词： | 有光 耦合 发光 装置 | ||
【主权项】：
一种发光装置，包括：基板；p型III‑V族半导体层，其与所述基板相邻；有源层，其与所述p型III‑V族半导体层相邻；n型III‑V族半导体层，其与所述有源层相邻；光耦合结构，其与所述n型III‑V族半导体层相邻，所述光耦合结构具有一种或多种III‑V族半导体材料；以及电极，其通过所述光耦合结构的一部分与所述n型半导体层电连通。
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