[发明专利]具有包括水平件的间隔结构的晶片有效
| 申请号： | 201280028705.3 | 申请日： | 2012-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN103619750A | 公开（公告）日： | 2014-03-05 |
| 发明（设计）人： | A·B·格雷厄姆;G·亚马;G·奥布莱恩 | 申请（专利权）人： | 罗伯特·博世有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;H01L21/762 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 周家新;蔡胜利 |
| 地址： | 德国斯*** | 国省代码： | 德国;DE |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在一个实施例中，一种形成隔离间隔结构的方法包括：提供基底层；在所述基底层的上表面之上提供中间层；在所述中间层中蚀刻第一沟槽，将第一隔离材料部分沉积到第一沟槽内；将第二隔离材料部分沉积到所述中间层的上表面之上；在第二隔离材料部分的上表面之上形成上部层；在所述上部层中蚀刻第二沟槽；和将第三隔离材料部分沉积到第二沟槽内和第二隔离材料部分的上表面上。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 包括 水平 间隔 结构 晶片 | ||
【主权项】：
一种形成隔离间隔结构的方法，包括：提供基底层；在所述基底层的上表面之上提供中间层；在所述中间层中蚀刻第一沟槽；将第一隔离材料部分沉积到第一沟槽内；将第二隔离材料部分沉积到所述中间层的上表面之上；在第二隔离材料部分的上表面之上形成上部层；在所述上部层中蚀刻第二沟槽；和将第三隔离材料部分沉积到第二沟槽内和第二隔离材料部分的上表面上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于罗伯特·博世有限公司，未经罗伯特·博世有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201280028705.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：筛管保护套焊接装置
- 下一篇：车载导航仪与家庭网关互访的云平台
