[发明专利]电导体有效
| 申请号： | 201280028958.0 | 申请日： | 2012-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN103635991B | 公开（公告）日： | 2017-07-11 |
| 发明（设计）人： | J·F·普林斯 | 申请（专利权）人： | 塞吉外斯66(私人)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/04 | 分类号： | H01L21/04;H01L29/16 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司11127 | 代理人： | 吕俊刚,刘久亮 |
| 地址： | 南非约*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了包括电流动路径的电路和电子装置，该电流动路径的至少一部分由基底材料的主体形成，所述基底材料的主体的至少一部分是掺杂部，所述掺杂部具有表面和位于所述表面处或所述表面以下的植入的原子，所述表面的至少一部分限定了电流动路径的低电阻部分。 | ||
| 搜索关键词： | 导体 | ||
【主权项】：
一种电流动路径，所述电流动路径由位于n型基底材料的表面外部和上部的自由电子电荷形成的电荷载流子组成，并且与位于表面上的外部电子轨道相比，在由接触件施加到外层从而使电流在平行于基底材料的表面并位于基底材料的表面上部流动的电场的影响下，所述电荷载流子自由运动，所述自由电子电荷由所述基底材料内在所述基底材料的所述表面和接近所述表面的高密度的施主缺陷产生。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
