[发明专利]一种改变激发发射器的辐射特性的方法无效
| 申请号： | 201280029174.X | 申请日： | 2012-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN103649727A | 公开（公告）日： | 2014-03-19 |
| 发明（设计）人： | K.埃尔萨亚德;K.海因策;A.乌里克 | 申请（专利权）人： | 勃林格殷格翰国际有限公司 |
| 主分类号： | G01N21/64 | 分类号： | G01N21/64 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 张平元 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 一种改变发射器(2)的辐射特性的方法及其中的层结构(1)，其中，所述发射器(2)设置在包括金属材料的层结构的附近，以至于发射器(2)耦合到层结构(1)的表面态，特别是表面等离子激元，其改变发射器(2)的辐射特征，其中，所述的层结构(1)包括金属层(3)，夹在非金属衬顶层(4)和非金属衬底层(5)之间，其中，至少所述金属层(3)和所述衬顶层(4)被具有等于或小于1纳米的均方根粗糙度的光滑界面(8)分隔开，和其中，所述金属层(3)的厚度是所述发射器(2)的发射波长(λ')的1/100和1/20。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改变 激发 发射器 辐射 特性 方法 | ||
【主权项】：
一种改变激发发射器(2)的辐射特性的方法，其中，所述发射器(2)设置在包括金属材料的层结构(1)的附近，使得所述发射器(2)耦合到所述层结构(1)的表面态、特别是表面等离子激元，其改变发射器(2)的辐射特性，其特征在于，所述层结构(1)包括夹在非金属衬顶层(4)和非金属衬底层(5)之间的金属层(3)，其中至少所述金属层(3)和所述衬顶层(4)被光滑界面(8)分隔开，所述光滑界面具有等于或小于1纳米的均方根粗糙度，并且其中所述金属层(3)的厚度在所述发射器(2)的发射波长(λ')的1/100至1/20之间。
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