[发明专利]用于存储器核的智能桥接器有效
| 申请号： | 201280029471.4 | 申请日： | 2012-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN103635883B | 公开（公告）日： | 2017-03-08 |
| 发明（设计）人： | M.A.德阿布里厄;S.斯卡拉;D.潘特拉基斯;R.奈尔;D.潘乔利 | 申请（专利权）人： | 桑迪士克科技有限责任公司 |
| 主分类号： | G06F11/10 | 分类号： | G06F11/10;G06F12/02;G06F13/16 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所11105 | 代理人： | 黄小临 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种装置包括第一半导体器件，其包括诸如NAND闪存核心的存储器核心。该设备还包括第二半导体器件，其包括与所述存储器核心关联的外围电路。第二半导体器件可以包括耦接于存储器控制器的第一串行器/解串行器通信接口的第二串行器/解串行器通信接口。另一装置包括包含第一存储器核心的第一存储器裸片、包含第二存储器核心的第二存储器裸片、以及耦接于第一存储器裸片和第二存储器裸片的外围裸片。该外围裸片包括与第一存储器核心对应的外围电路以及与第二存储器核心对应的外围电路。该外围裸片响应于存储器控制器，并且配置为开始在第一存储器核心处的第一存储器操作和在第二存储器核心处的第二存储器操作。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 存储器 智能 桥接器 | ||
【主权项】：
一种存储装置，包括：第一半导体裸片，包括NAND闪存核心；以及第二半导体裸片，包括：与所述NAND闪存核心关联的外围电路；耦接到所述NAND闪存核心的第一存储器接口；以及存储器控制器接口，配置为将所述第二半导体裸片耦接到第三半导体裸片上的存储器控制器，以使能在所述存储器控制器和所述NAND闪存核心之间经由所述第二半导体裸片通信，所述第三半导体裸片包括：所述存储器控制器，其中所述存储器控制器耦接到主机接口，所述主机接口配置为使能与主机设备通信；以及耦接到所述存储器控制器接口的第二存储器接口，其中所述外围电路包括行解码器，所述行解码器配置为作为所述NAND闪存核心的行解码器进行操作；并且其中所述存储器控制器配置为作为所述NAND闪存核心的存储器控制器进行操作。
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