[发明专利]光电子半导体本体和用于制造光电子半导体本体的方法有效
| 申请号： | 201280029480.3 | 申请日： | 2012-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN103620736A | 公开（公告）日： | 2014-03-05 |
| 发明（设计）人： | A.S.阿夫拉梅斯库;D.迪尼;I.皮聪卡 | 申请（专利权）人： | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/20 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 张涛;胡莉莉 |
| 地址： | 德国雷*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 一种带有衬底（102，132，202）的光电子半导体本体（100）具有张紧层（104，134，160），该张紧层在第一外延步骤中被施加在衬底（102，132，202）上。张紧层（104，134，160）具有至少一个垂直形成在张紧层中的凹部（106，110）。在第二外延步骤中，在张紧层（104，134，160）上施加了另外的层（108，136，168），该另外的层将所述至少一个凹部（106，110）填充并且至少局部地覆盖该张紧层（104，134，160）。 | ||
| 搜索关键词： | 光电子 半导体 本体 用于 制造 方法 | ||
【主权项】：
光电子半导体本体（100），‑带有衬底（102，132，202），‑带有张紧层（104，134，160），该张紧层在第一外延步骤中被施加在衬底（102，132，202）上，其中张紧层（104，134，160）具有至少一个垂直形成在张紧层中的凹部（106，110），其中在第二外延步骤中，在张紧层（104，134，160）上施加了另外的层（108，136，168），该另外的层将所述至少一个凹部（106，110）填充并且至少局部地覆盖该张紧层（104，134，160）。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
