[发明专利]无针孔介电薄膜制造有效
| 申请号： | 201280029540.1 | 申请日： | 2012-06-14 |
| 公开（公告）号： | CN103608966B | 公开（公告）日： | 2017-02-15 |
| 发明（设计）人： | 冲·蒋;秉圣·利奥·郭 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01M14/00 | 分类号： | H01M14/00 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司11006 | 代理人： | 徐金国,赵静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种沉积介电薄膜的方法可包括以下步骤沉积薄介电层；停止沉积介电层，以及改变腔室中的气体（如果需要）；在基板附近诱导和维持等离子体，以提供对所沉积的介电层的离子轰击；以及重复所述沉积、停止、以及诱导和维持步骤，直到沉积了所需厚度的电介质为止。这种方法的一种变体可包括以下步骤来代替所述重复步骤沉积较低品质的厚介电层；沉积高品质的薄介电层；停止沉积介电层，以及改变腔室中的气体（如果需要）；以及在基板附近诱导和维持等离子体，以提供对所沉积的介电层的离子轰击。所述厚介电层可以比所述薄介电层更快速地沉积。 | ||
| 搜索关键词： | 针孔 薄膜 制造 | ||
【主权项】：
一种沉积介电膜的方法，包含：在基板上沉积第一介电材料层，其中所述沉积是在工艺腔室中的真空沉积，且包括在没有氮的氩环境中溅射Li3PO4；将氮气引入所述工艺腔室；在沉积所述第一介电材料层以及引入氮之后，在所述基板上方诱导和维持等离子体，以提供对所述第一介电材料层的离子轰击；以及重复所述沉积、及诱导和维持步骤，直到沉积了预定厚度的介电材料为止。
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