[发明专利]III族氮化物半导体激光元件无效
| 申请号： | 201280029797.7 | 申请日： | 2012-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN103620895A | 公开（公告）日： | 2014-03-05 |
| 发明（设计）人： | 住友隆道;上野昌纪;善积祐介;吉田乔久;足立真宽 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/323 | 分类号： | H01S5/323 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 李亚;穆德骏 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 在具有在包含开口的电流限制层上再生长有p型包覆层的结构的III族氮化物半导体激光元件中，减小由存在于半极性的再生长界面的n型杂质引起的影响。半导体激光元件（10）具有n型半导体区域（14）、活性层（16）、第一p型半导体区域（18）、电流限制层（20）以及第二p型半导体区域（22）。第二p型半导体区域（22）是在形成电流限制层（20）的开口（20a）之后再生长在第一p型半导体区域（18）上和电流限制层（20）上的区域。第一p型半导体区域（18）中的与第二p型半导体区域（22）的界面包含III族氮化物半导体的半极性面。第一p型半导体区域（18）具有构成第一p型半导体区域（18）与第二p型半导体区域（22）之间的界面且具有1×1020cm-3以上的p型杂质浓度的高浓度p型半导体层（18c）。 | ||
| 搜索关键词： | iii 氮化物 半导体 激光 元件 | ||
【主权项】：
一种III族氮化物半导体激光元件，其特征在于，具有：n型半导体区域，由n型的III族氮化物半导体构成；活性层，由III族氮化物半导体构成，设置在所述n型半导体区域上；第一p型半导体区域，由p型的III族氮化物半导体构成，设置在所述活性层上；电流限制层，设置在所述第一p型半导体区域上，具有在预定的激光谐振方向上延伸的开口；以及第二p型半导体区域，由p型的III族氮化物半导体构成，在形成所述电流限制层的所述开口之后，再生长在所述第一p型半导体区域上和电流限制层上，所述第一p型半导体区域中的与所述第二p型半导体区域的界面具有该III族氮化物半导体的半极性面，所述第一p型半导体区域和第二p型半导体区域中的至少一个具有构成所述第一p型半导体区域与所述第二p型半导体区域之间的界面且具有1×1020cm‑3以上的p型杂质浓度的高浓度p型半导体层。
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