[发明专利]导电性层叠体、带图案布线的透明导电性层叠体、以及光学器件

摘要

本发明的目的在于，抑制在透明导电层上形成有金属层的导电性层叠体中通过蚀刻而去除金属层时的透明导电层的电阻的升高。导电性层叠体在透明基材（1）的至少一面上依次形成有由至少2层透明导电性薄膜形成的透明导电性薄膜层叠体（2）和金属层（3）。在透明导电性薄膜层叠体（2）中，最接近金属层（3）的第一透明导电性薄膜（21）为金属氧化物层或含有主金属和1种以上的杂质金属的复合金属氧化物层，第一透明导电性薄膜以外的透明导电性薄膜（22）为含有主金属和1种以上的杂质金属的复合金属氧化物层。第一透明导电性薄膜（21）中的杂质金属的含有比例在构成前述透明导电性薄膜层叠体（2）的各透明导电性薄膜中的杂质金属的含有比例之中不为最大，由此可解决上述课题。

主权项

一种导电性层叠体，其在透明基材的至少一面上依次形成有由至少2层透明导电性薄膜形成的透明导电性薄膜层叠体和金属层，所述金属层的材料为Ag或Cu，所述金属层在蚀刻中被去除而形成图案布线，在所述透明导电性薄膜层叠体中，最接近所述金属层的第一透明导电性薄膜为金属氧化物层或含有主金属和1种以上的杂质金属的复合金属氧化物层，第一透明导电性薄膜以外的透明导电性薄膜为含有主金属和1种以上的杂质金属的复合金属氧化物层，所述第一透明导电性薄膜中的杂质金属的含有比例在构成所述透明导电性薄膜层叠体的各透明导电性薄膜中的杂质金属的含有比例中不为最大，构成所述透明导电性薄膜层叠体的所有的透明导电性薄膜为结晶膜，第一透明导电性薄膜的厚度为1nm～17nm，透明导电性薄膜层叠体中的第一透明导电性薄膜以外的透明导电性薄膜的厚度的总和为9nm～34nm，透明导电性薄膜层叠体整体的厚度为35nm以下。