[发明专利]高功率溅射源有效
申请号: | 201280030373.2 | 申请日: | 2012-03-30 |
公开(公告)号: | CN103620731B | 公开(公告)日: | 2016-10-26 |
发明(设计)人: | S.克拉斯尼策尔;K.鲁姆 | 申请(专利权)人: | 欧瑞康表面解决方案股份公司;普费菲孔 |
主分类号: | H01J37/34 | 分类号: | H01J37/34;C23C14/34 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 杜荔南;胡莉莉 |
地址: | 瑞士普*** | 国省代码: | 瑞士;CH |
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摘要: | 本发明涉及一种磁控管溅镀方法,利用该方法可以将材料从靶表面溅射,使得所溅射的材料以离子形式高百分比地存在。根据本发明,这借助于简单的发生器来实现,该发生器的功率以分布在时间间隔中的方式馈入到多个磁控管溅镀源中,也就是说,在一时间间隔给一个溅镀源供应最大功率,并且在接下来的时间间隔中给下一个溅镀源供应最大功率。通过这种方式,实现了大于0.2A/cm2的放电电流密度。在关断时间期间,溅镀靶具有冷却的可能性,使得温度极限不被超过。 | ||
搜索关键词: | 功率 溅射 | ||
【主权项】:
一种用于生成等离子体放电的方法,所述等离子体放电具有至少在一些区域中局部地大于0.2A/cm2的放电电流密度,该方法具有步骤:-提供具有预先给定的最大功率的功率供应单元;-提供至少两个磁控管溅镀源,所述磁控管溅镀源分别具有预先给定的轨迹和预先给定的热极限,其中所述轨迹被设计为如此小,使得在所述功率供应单元的最大功率分别作用于所述磁控管溅镀源之一时,放电电流密度大于0.2A/cm2;-借助于所述功率供应单元,在第一时间间隔内将第一功率馈入到所述至少两个磁控管溅镀源中的第一个,其中第一溅镀源通过馈入第一功率被作为阴极运行并且第一功率被选择为足够大,使得在所述磁控管溅镀源处至少在一区域中局部地产生大于0.2A/cm2的放电电流密度,并且其中第一时间间隔被选择为足够小,使得第一磁控管溅镀源的预先给定的热极限不被超过;-借助于所述功率供应单元,在第二时间间隔内将第二功率馈入到所述磁控管溅镀源中的第二个,其中第二溅镀源通过馈入第二功率被作为阴极运行并且第二功率被选择为足够大,使得在第二磁控管溅镀源处至少在一区域中局部地产生大于0.2A/cm2的放电电流密度,并且其中第二时间间隔被选择为足够小,使得第二磁控管溅镀源的预先给定的热极限不被超过;其特征在于,·用于提供相应的第一和第二功率的所述功率供应单元包括至少两个发生器,所述发生器以主‑从配置彼此连接,使得所述发生器之一被配置为主机并且其他发生器电连接为使得至少两个发生器的输出端并行联合,其中主机处的要调整的功率被调整并且其他发生器在其设定方面遵循主机,并且·所述两个时间间隔不完全重叠。
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