[发明专利]感测电路有效
| 申请号： | 201280030437.9 | 申请日： | 2012-07-01 |
| 公开（公告）号： | CN103620684A | 公开（公告）日： | 2014-03-05 |
| 发明（设计）人： | 金圣克;金吉苏;刘景昊;金正丕;升·H·康 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C7/06 | 分类号： | G11C7/06;G11C7/12;G11C11/16;G11C11/26;G11C11/4091 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 宋献涛 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种电路包含退化p沟道金属氧化物半导体PMOS晶体管(102)、负载PMOS晶体管(104)以及箝位晶体管(110)，所述箝位晶体管经配置以在感测操作期间对施加到基于电阻的存储元件(112)的电压进行钳制。所述负载PMOS晶体管的栅极由与非NAND电路(106)的输出控制。 | ||
| 搜索关键词： | 电路 | ||
【主权项】：
一种电路，其包括：退化p沟道金属氧化物半导体PMOS晶体管；负载PMOS晶体管；以及箝位晶体管，其经配置以在感测操作期间对施加到基于电阻的存储元件的电压进行钳制，其中所述负载PMOS晶体管的栅极由与非NAND电路的输出控制，所述NAND电路具有响应于控制信号的第一输入和耦合到所述负载PMOS晶体管的端子的第二输入。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于高通股份有限公司，未经高通股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201280030437.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种利用水分离再生塑料粉碎料的方法
- 下一篇：立式环磨机快速拆卸安装锤轮
