[发明专利]结晶太阳能电池单元及结晶太阳能电池单元的制造方法有效
| 申请号： | 201280030486.2 | 申请日： | 2012-04-03 |
| 公开（公告）号： | CN103620793A | 公开（公告）日： | 2014-03-05 |
| 发明（设计）人： | 谷川诚二 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01L31/0352 | 分类号： | H01L31/0352;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈蕴辉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种结晶太阳能电池单元及结晶太阳能电池单元的制造方法，所述结晶太阳能电池单元具有：设置于半导体基板（1）的表面的杂质扩散区域（5，6）；设置于杂质扩散区域（5，6）上的作为钝化膜（8）的一部分的凸部（8a）或设置于钝化膜（8）的凹部（22）；以覆盖杂质扩散区域（5，6）及凸部（8a）、或者杂质扩散区域（5，6）及凹部（22）的方式设置的烧成电极（11，12）。 | ||
| 搜索关键词： | 结晶 太阳能电池 单元 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种结晶太阳能电池单元，其特征在于，具有：半导体基板（1）；设置于所述半导体基板（1）的表面的杂质扩散区域（5，6）；设置在所述半导体基板（1）的表面上的钝化膜（8）；设置在所述杂质扩散区域（5，6）上的作为所述钝化膜（8）的一部分的凸部（8a）或设置于所述钝化膜（8）的凹部（22）；以覆盖所述杂质扩散区域（5，6）及所述凸部（8a）、或者所述杂质扩散区域（5，6）及所述凹部（22）的方式设置的烧成电极（11，12）。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
