[发明专利]碳化硅半导体器件

摘要

第一、第二、第四和第五杂质区（11、12、21、22）具有第一导电类型，并且第三杂质区（13）具有第二导电类型。第一至第三杂质区（11-13）到达第一导电类型的第一层（34）。第四和第五杂质区（21、22）设置在第二层（35）上。第一至第五电极（S1、Dl、Gl、S2、D2）分别设置在第一至第五杂质区（11-13、21、22）上。在第一和第五电极（S1、D2）彼此电连接，并且第三和第四电极（Gl、S2）彼此电连接。第六电极（G2）设置在栅极绝缘膜（12）上，并覆盖第四和第五杂质区（21、22）之间的部分。

主权项

一种碳化硅半导体器件，包括：碳化硅衬底（30），所述碳化硅衬底包括具有第一导电类型的第一层（34）以及设置在所述第一层上并具有不同于所述第一导电类型的第二导电类型的第二层（35），所述碳化硅衬底具有第一杂质区至第五杂质区（11、12、13、21、22），所述第一杂质区、第二杂质区、第四杂质区和第五杂质区中的每一个都具有所述第一导电类型，并且所述第三杂质区具有所述第二导电类型，所述第一杂质区至第三杂质区中的每一个都贯穿所述第二层并到达所述第一层，所述第三杂质区布置在所述第一杂质区和第二杂质区之间，所述第四杂质区和第五杂质区中的每一个都设置在所述第二层上；第一至第五电极（S1、Dl、Gl、S2、D2），所述第一电极至第五电极分别设置在所述第一杂质区至第五杂质区上，所述第一电极和第五电极彼此电连接，所述第三电极和第四电极彼此电连接；栅极绝缘膜（I2），所述栅极绝缘膜覆盖所述第二层上的所述第四杂质区和第五杂质区之间的部分；以及第六电极（G2），所述第六电极设置在所述栅极绝缘膜上。