[发明专利]多晶金刚石结构无效
| 申请号： | 201280030661.8 | 申请日： | 2012-05-10 |
| 公开（公告）号： | CN103827436A | 公开（公告）日： | 2014-05-28 |
| 发明（设计）人： | 特姆宾克斯·沙巴拉拉;尼德雷特·卡恩 | 申请（专利权）人： | 第六元素研磨剂股份有限公司 |
| 主分类号： | E21B10/567 | 分类号： | E21B10/567;E21C35/183 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 张晶;王莹 |
| 地址： | 卢森堡*** | 国省代码： | 卢森堡;LU |
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| 摘要： | 一种PCD结构，该PCD结构包括第一区域(24)和与所述第一区域相邻的第二区域(25)，所述第二区域通过金刚石晶粒的交互生长结合至所述第一区域；所述第一区域包括多个交替的晶层或层(24c,24t)，每一个晶层或层的厚度在约5至300微米的范围内。所述第二区域(25)包括多个晶层或层，在所述第二区域中的一个或更多个晶层或层的厚度大于在所述第一区域(24)内的单独的晶层或层的厚度。在所述第一区域中交替的层或晶层包括与第二层或晶层交替的第一层或晶层，所述第一层或晶层处于残余压缩应力状态，并且所述第二层或晶层处于残余拉伸应力状态。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶 金刚石 结构 | ||
【主权项】：
一种PCD结构，该PCD结构包括第一区域和与所述第一区域相邻的第二区域，所述第二区域通过金刚石晶粒的交互生长结合至所述第一区域；所述第一区域包括多个交替的晶层或层，每个晶层或层的厚度在约5至300微米的范围内；所述第二区域包括多个晶层或层，所述第二区域中的一个或更多个晶层或层的厚度大于所述第一区域中的单独的晶层或层的厚度，其中所述第一区域中的交替的层或晶层包括与第二层或晶层交替的第一层或晶层，所述第一层或晶层处于残余压缩应力状态，并且所述第二层或晶层处于残余拉伸应力状态。
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