[发明专利]导电膜形成方法、导电膜、绝缘化方法以及绝缘膜无效
| 申请号： | 201280031175.8 | 申请日： | 2012-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN103650067A | 公开（公告）日： | 2014-03-19 |
| 发明（设计）人： | 田边裕史;大竹富明;松木浩志 | 申请（专利权）人： | 株式会社可乐丽 |
| 主分类号： | H01B13/00 | 分类号： | H01B13/00;G09F9/30;H01L21/28;H01L21/314;H01L21/3205;H01L21/768;H01L23/532 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 金龙河;穆德骏 |
| 地址： | 日本冈山*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种分辨率高的导电性图案。一种规定图案的导电膜形成方法，其特征在于，具备设置导电性碳纳米管层的工序、以及对上述工序中设置的导电性碳纳米管层的所述规定图案对应位置以外的区域照射紫外线的紫外线照射工序，其中，紫外线照射区域的导电性碳纳米管改性为绝缘性，紫外线未照射区域的导电性碳纳米管保持导电性。 | ||
| 搜索关键词： | 导电 形成 方法 绝缘 以及 | ||
【主权项】：
一种规定图案的导电膜形成方法，其特征在于，具备：设置导电性碳纳米管层的工序、以及对上述工序中设置的导电性碳纳米管层的所述规定图案对应位置以外的区域照射紫外线的紫外线照射工序，其中，紫外线照射区域的导电性碳纳米管改性为绝缘性，紫外线未照射区域的导电性碳纳米管保持导电性。
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