[发明专利]氮化物半导体装置及其制造方法

摘要

具备基板、形成在基板之上的第1氮化物半导体层（1）、层叠在第1氮化物半导体层（1）之上、比该第1氮化物半导体层（1）带隙大、开设有底部达到第1氮化物半导体层（1）而贯通的凹槽部的第2氮化物半导体层（2）、将凹槽部（11）的内壁和第2氮化物半导体层（2）覆盖而层叠、比第1氮化物半导体层（1）带隙大的第3氮化物半导体层（12）、在凹槽部（11）的上层形成在第3氮化物半导体层（12）上的栅极电极（5）、和分别形成在栅极电极（5）的两侧方的第1欧姆电极（4a）及第2欧姆电极（4b）。

主权项

一种氮化物半导体装置，其特征在于，具备：基板；半导体层层叠体，包括依次形成在上述基板上、开设有凹槽部的第1氮化物半导体层、比该第1氮化物半导体层带隙大且形成在上述第1氮化物半导体层的凹槽部以外的区域中的第2氮化物半导体层、以及包括上述凹槽部的内壁将上述第1及上述第2氮化物半导体层覆盖而层叠、比该第1氮化物半导体层带隙大的第3氮化物半导体层；栅极电极，在上述凹槽部的上层形成在第3氮化物半导体层上；第1欧姆电极及第2欧姆电极，分别形成在上述栅极电极的两侧方。