[发明专利]太阳能电池及其制备方法有效
申请号: | 201280031463.3 | 申请日: | 2012-04-26 |
公开(公告)号: | CN103620792B | 公开(公告)日: | 2017-02-08 |
发明(设计)人: | 崔撤焕;崔寅焕 | 申请(专利权)人: | LG伊诺特有限公司;中央大学校产学协力团 |
主分类号: | H01L31/032 | 分类号: | H01L31/032;H01L31/0224;H01L31/18 |
代理公司: | 北京鸿元知识产权代理有限公司11327 | 代理人: | 许向彤,陈英俊 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 根据实施例的一种太阳能电池包括基板;在所述基板上的背电极层;在所述背电极层上的光吸收层;在所述光吸收层上的包括ZnS的缓冲层;以及,在所述缓冲层上的窗口层。 | ||
搜索关键词: | 太阳能电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种太阳能电池,包括:基板;在所述基板上设置的背电极层;在所述背电极层上设置的光吸收层;设置在所述光吸收层上的包括ZnS的缓冲层;以及在所述缓冲层上的窗口层,其中,所述缓冲层中包含的硫(S)的密度从所述缓冲层的下部向所述缓冲层的上部逐渐减小,其中,所述硫的密度在所述缓冲层的最下部具有最大值,在所述缓冲层的最上部具有最小值,其中,所述缓冲层的上部被表示为化学式ZnS(O,OH)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的