[发明专利]多层陶瓷基板及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201280032117.7 申请日: 2012-06-28
公开(公告)号: CN103650648B 公开(公告)日: 2017-06-09
发明(设计)人: 番场真一郎;福田宽 申请(专利权)人: 株式会社村田制作所
主分类号: H05K3/46 分类号: H05K3/46;H05K1/16
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司31100 代理人: 张鑫
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明提供一种多层陶瓷基板,能以优异的TCR特性来实现100mΩ以下的超低电阻,而且,即使采用利用过孔导体引出电阻膜的结构,也能在电阻膜与过孔导体之间获得优异的连接可靠性。多层陶瓷基板(1)具有由被层叠的多个陶瓷层(2)构成的陶瓷素域(3),包含形成在陶瓷层(2)之间的电阻膜(5、6)的电阻体(4),以及形成为在厚度方向上贯穿陶瓷层(2)且第一端部(11)与电阻膜(5)相连接的引出用过孔导体(9、10)。电阻膜和引出用过孔导体均含有构成合金类电阻材料的例如Ni和Cu,引出用过孔导体中Ni成分的浓度具有在与电阻膜(5)相连接的第一端部(11)中较高、且从第一端部(11)向着相反的第二端部(12)侧逐渐变低的倾斜结构。
搜索关键词: 多层 陶瓷 及其 制造 方法
【主权项】:
一种多层陶瓷基板,其特征在于,包括:由被层叠的多个陶瓷层构成的陶瓷素域,包括形成在所述陶瓷层之间的电阻膜的电阻体,以及形成为在厚度方向上贯穿所述陶瓷层、且第一端部与所述电阻膜相连接的引出用过孔导体;所述电阻膜和所述引出用过孔导体均至少包含构成合金类电阻材料的第一金属成分和第二金属成分,所述引出用过孔导体中的所述第二金属成分的浓度具有在与所述电阻膜相连接的所述第一端部中较高、且从该第一端部向着相反的第二端部侧逐渐变低的倾斜结构。
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