[发明专利]III族氮化物半导体元件及III族氮化物半导体元件的制造方法无效
| 申请号： | 201280032130.2 | 申请日： | 2012-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN103650263A | 公开（公告）日： | 2014-03-19 |
| 发明（设计）人： | 盐谷阳平;善积祐介;京野孝史;住友隆道;上野昌纪;梁岛克典;田才邦彦;中岛博 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社;索尼株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/042 | 分类号： | H01S5/042;H01S5/343 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 权太白;谢丽娜 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种包含无损结晶性而具有比较小的接触电阻及比较高的载流子浓度的p型接触层的III族氮化物半导体元件及其制造方法。该III族氮化物半导体元件包括：接触层(25a)，设置于发光层(17)上；接触层(25b)，设置于接触层(25a)上，与接触层(25a)直接接触；及电极(37)，设置于接触层(25b)上，与接触层(25b)直接接触。接触层(25a)及接触层(25b)由p型的相同氮化镓系半导体构成，接触层(25a)的p型掺杂剂的浓度低于接触层(25b)的p型掺杂剂的浓度，接触层(25a)与接触层(25b)的界面J1自与沿c轴延伸的基准轴(Cx)正交的面(Sc)以50度以上且小于130度的角度倾斜，接触层(25b)的膜厚为20nm以下。 | ||
| 搜索关键词： | iii 氮化物 半导体 元件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种III族氮化物半导体元件，其特征在于，包括：氮化镓系半导体的发光层；第1接触层，其设置于上述发光层上；第2接触层，其设置于上述第1接触层上，与上述第1接触层直接接触；以及金属电极，其设置于上述第2接触层上，与上述第2接触层直接接触，上述第1接触层及上述第2接触层由p型的同一氮化镓系半导体构成，上述第1接触层的p型掺杂剂的浓度低于上述第2接触层的p型掺杂剂的浓度，上述第1接触层与上述第2接触层的界面自与沿c轴延伸的基准轴正交的面以50度以上且小于130度的角度倾斜，上述发光层的发光波长为480nm以上600nm以下，上述第2接触层的膜厚为1nm以上50nm以下。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于住友电气工业株式会社;索尼株式会社，未经住友电气工业株式会社;索尼株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201280032130.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
