[发明专利]微电子器件封装及其形成方法有效
| 申请号： | 201280032156.7 | 申请日： | 2012-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN103620767B | 公开（公告）日： | 2016-11-09 |
| 发明（设计）人： | W·H·郑;J·S·居泽尔 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L23/12 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 韩宏;陈松涛 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本公开内容涉及制造微电子器件封装的领域，并且更具体地，涉及具有内建无凹凸层（BBUL）设计的微电子器件封装，其中，将至少一个次级器件设置在微电子器件封装的微电子器件的厚度（即，z方向或z高度）内。 | ||
| 搜索关键词： | 微电子 器件 封装 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种微电子器件封装，包括：具有活性表面和相反的背面的微电子器件，其中，所述微电子器件的厚度由所述微电子器件的活性表面与所述微电子器件的背面之间的距离来界定；至少一个次级器件，其电连接至所述微电子器件，其中，在所述微电子器件的所述厚度内将所述至少一个次级器件定位到紧邻所述微电子器件的位置；以及设置在所述微电子器件的活性表面和所述至少一个次级器件之上的介电层，其中所述介电层邻接所述微电子器件的位于所述微电子器件的活性表面与所述微电子器件的背面之间的部分，并且其中所述微电子器件的背面和所述微电子器件的位于所述微电子器件的活性表面与所述微电子器件的背面之间的部分穿过所述介电层而被暴露出来。
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