[发明专利]层状半导体基板及其制造方法

摘要

本发明涉及层状半导体基板，其包括‑单晶的第一层(1)，其含有至少80％的硅，并且具有第一厚度和第一晶格常数(a₁)，所述第一晶格常数(a₁)由第一掺杂剂元素和第一掺杂剂浓度决定，和‑单晶的第二层(2)，其含有至少80％的硅，并且具有第二厚度和第二晶格常数(a₂)，所述第二晶格常数(a₂)由第二掺杂剂元素和第二掺杂剂浓度决定，所述第二层(2)与所述第一层直接接触，和‑单晶的第三层(4)，其包含III族氮化物，使得所述第二层位于所述第一层和所述第三层之间，其中所述第二晶格常数(a₂)大于所述第一晶格常数(a₁)，其中所述第一层(1)和所述第二层(2)的晶格是晶格匹配的，并且其中所述层状半导体基板的弓形在‑50μm至50μm的范围内。本发明还涉及制造该层状半导体基板的方法。

主权项

层状半导体基板，其包括‑构成单晶的第一层(1)的晶片，所述单晶的第一层(1)含有至少80％的硅，具有(111)晶格取向，并且具有第一厚度和第一晶格常数(a₁)，所述第一晶格常数(a₁)由第一掺杂剂元素和第一掺杂剂浓度决定，和‑单晶的第二层(2)，其含有至少80％的硅，并且具有第二厚度和第二晶格常数(a₂)，所述第二晶格常数(a₂)由第二掺杂剂元素和第二掺杂剂浓度决定，所述第二层(2)与所述第一层直接接触，和‑单晶的第三层(4)，其由III族氮化物组成，使得所述第二层位于所述第一层和所述第三层之间，其中处于放松状态的所述第二晶格常数(a₂)大于所述第一晶格常数(a₁)，其中所述第一层(1)和所述第二层(2)的晶格是晶格匹配的，从而所述第二层(2)应变，并且根据单晶的第三层，选择所述第一层厚度、第一晶格常数(a₁)、第二层厚度和第二晶格常数(a₂)，从而所述层状半导体基板的弓形在‑50μm至50μm的范围内，并且其中所述第一掺杂剂元素和第二掺杂剂元素相同，其共价原子半径小于硅的共价原子半径，或者其中所述第一掺杂剂元素和第二掺杂剂元素是锑，或者其中所述第一掺杂剂元素的共价原子半径小于硅的共价原子半径，并且所述第二掺杂剂元素的共价原子半径大于硅的共价原子半径。