[发明专利]包括光学晶格结构的电致发光器件及其制造方法有效
申请号: | 201280032714.X | 申请日: | 2012-06-29 |
公开(公告)号: | CN103636024B | 公开(公告)日: | 2017-10-13 |
发明(设计)人: | 理查德·普法伊费尔;卡斯滕·费泽;乌韦·福格尔;卡尔·里奥 | 申请(专利权)人: | 弗劳恩霍夫应用研究促进协会 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司11240 | 代理人: | 余刚,吴孟秋 |
地址: | 德国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 发光器件1包括衬底13和涂覆到衬底13上的层布置10。层布置10具有由导电材料构成的第一电极层12和由导电材料构成的第二电极层14。由有机材料构成的至少一个发光层16布置在第一电极层12和第二电极层14之间。具有光学晶格结构的至少一个中间层18布置在发光层16和两个电极层中的一个之间。中间层18的第一主表面18c面向发光层16,中间层的所述第一主表面18c至少在光学晶格结构的区域中具有在容差范围内的平坦设计。中间层18的至少在其第一主表面18c和第二主表面18d之间的区域是导电的。 | ||
搜索关键词: | 包括 光学 晶格 结构 电致发光 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种发光器件(1,24,28,32),包括:衬底(13);以及涂覆到所述衬底(13)上的层布置(10),包括由导电材料制成的第一电极层(12)、由导电材料制成的第二电极层(14)、由有机材料制成的布置在所述第一电极层(12)和所述第二电极层(14)之间并形成为有机叠层的至少一个发光层(16)、以及至少一个中间层(18),至少一个所述中间层(18)包括布置在所述有机叠层和两个电极层中的一个之间的光学晶格结构,其中,所述中间层(18)的第一主表面(18c)面向所述有机叠层并且所述中间层(18)的所述第一主表面(18c)形成为至少在所述光学晶格结构的区域中在容差范围内是平坦的,并且所述中间层(18)至少在所述第一主表面(18c)和第二主表面(18d)之间的区域中是导电的,其中,所述中间层(18)包括第一和第二晶格子区域(18a,18b),并且所述第一和第二晶格子区域(18a,18b)包括恒定层厚度(h18),其中,所述容差范围表示小于+/‑50nm的范围内的所述第一主表面(18c)的不平整度,其中,所述有机叠层包括空穴传输层(16a)、电子阻挡层(16b)、双发射极层(16c)、空穴阻挡层(16d)和/或电子传输层(16e),和/或其中,所述中间层(18)包括含有以下各项中至少一项的材料:硅、氧化硅和/或金属氧化物。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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