[发明专利]光电转换元件及其制造方法在审
申请号: | 201280032722.4 | 申请日: | 2012-08-14 |
公开(公告)号: | CN103636021A | 公开(公告)日: | 2014-03-12 |
发明(设计)人: | 市林拓;朝野刚 | 申请(专利权)人: | 吉坤日矿日石能源株式会社 |
主分类号: | H01L51/42 | 分类号: | H01L51/42;C07C49/92 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;李茂家 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 电转换元件(10)具有在第1电极(30)和第2电极(70)之间夹持电子输送层(40)、光电转换层(50)和空穴输送层(60)的结构。电子输送层(40)含有下式(1)的物质及其反应物。在(1)式中,M从碱金属、碱土金属、2B、3B族的金属、过渡金属中选择,X从卤素、羧酸酯基、烷氧基、烷基及下式表示的乙酰丙酮基中选择,a根据M的价数来确定,是正整数。下式中,R1、R2从氢、或碳原子数1~20直链或支链的烷基和烷氧基中选择,R1、R2可以相同或不同。M(X)a(1) | ||
搜索关键词: | 光电 转换 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种光电转换元件,其特征在于,包括:光电转换层,在所述光电转换层的一个主表面侧设置的电子输出电极,在所述光电转换层的另一个主表面侧设置的空穴输出电极,以及在所述光电转换层和所述电子输出电极之间设置的电子输送层;其中,所述电子输送层含有下式的物质及其反应物,M(X)a (1)在上述(1)式中,M从碱金属、碱土金属、2B、3B族的金属、和过渡金属中选择,X从卤素、羧酸酯基、烷氧基、烷基和下式表示的乙酰丙酮基中选择,a根据M的价数来确定,是正整数,在上式中,R1、R2从氢、或碳原子数1~20直链或支链的烷基、烷氧基中选择,R1和R2可以相同或不同。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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