[发明专利]光电转换元件及其制造方法在审

专利信息
申请号: 201280032722.4 申请日: 2012-08-14
公开(公告)号: CN103636021A 公开(公告)日: 2014-03-12
发明(设计)人: 市林拓;朝野刚 申请(专利权)人: 吉坤日矿日石能源株式会社
主分类号: H01L51/42 分类号: H01L51/42;C07C49/92
代理公司: 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 代理人: 刘新宇;李茂家
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 电转换元件(10)具有在第1电极(30)和第2电极(70)之间夹持电子输送层(40)、光电转换层(50)和空穴输送层(60)的结构。电子输送层(40)含有下式(1)的物质及其反应物。在(1)式中,M从碱金属、碱土金属、2B、3B族的金属、过渡金属中选择,X从卤素、羧酸酯基、烷氧基、烷基及下式表示的乙酰丙酮基中选择,a根据M的价数来确定,是正整数。下式中,R1、R2从氢、或碳原子数1~20直链或支链的烷基和烷氧基中选择,R1、R2可以相同或不同。M(X)a(1)
搜索关键词: 光电 转换 元件 及其 制造 方法
【主权项】:
1.一种光电转换元件,其特征在于,包括:光电转换层,在所述光电转换层的一个主表面侧设置的电子输出电极,在所述光电转换层的另一个主表面侧设置的空穴输出电极,以及在所述光电转换层和所述电子输出电极之间设置的电子输送层;其中,所述电子输送层含有下式的物质及其反应物,M(X)a        (1)在上述(1)式中,M从碱金属、碱土金属、2B、3B族的金属、和过渡金属中选择,X从卤素、羧酸酯基、烷氧基、烷基和下式表示的乙酰丙酮基中选择,a根据M的价数来确定,是正整数,在上式中,R1、R2从氢、或碳原子数1~20直链或支链的烷基、烷氧基中选择,R1和R2可以相同或不同。
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