[发明专利]二噻吩并邻苯二甲酰亚胺半导体聚合物

摘要

发明涉及一种式(I)的聚合物，其中M1为式(II)的任选取代的二噻吩并邻苯二甲酰亚胺，其中X为N或C-R，其中R为H或C1-C40烷基，R1在每次出现时独立地选自H、C1-40烷基、C2-40链烯基、C1-40卤代烷基和单环或多环结构部分，其中C1-40烷基、C2-40链烯基和C1-40卤代烷基各自可以任选被1-10个独立地选自卤素、-CN、-NO2、OH、NH2、-NH(C1-20烷基)、N(C1-20烷基)2、-S(O)2OH、-CHO、-C(O)-C1-20烷基、-C(O)OH、-C(O)-OC1-20烷基、-C(O)NH2、-C(O)NH-C1-20烷基、-C(O)N(C1-20烷基)2、-OC1-20烷基、-SiH3、-SiH(C1-20烷基)2、-SiH2(C1-20烷基)和-Si(C1-20烷基)3的取代基取代；以及该单环或多环结构部分可以经由任选的连接基与酰亚胺氮共价键合且任选可以被1-5个独立地选自卤素、氧代、-CN、-NO2、OH、=C(CN)2、-NH2、-NH(C1-20烷基)、N(C1-20烷基)2、-S(O)2OH、-CHO、-C(O)OH、-C(O)-C1-20烷基、-C(O)-OC1-20烷基、-C(O)NH2、-C(O)NH-C1-20烷基、-C(O)N(C1-20烷基)2、-SiH3、-SiH(C1-20烷基)2、-SiH2(C1-20烷基)、-Si(C1-20烷基)3、-O-C1-20烷基、-O-C1-20链烯基、-O-C1-20卤代烷基、C1-20烷基、C1-20链烯基、C1-20卤代烷基、C7-20芳基烷基、C6-20芳氧基和C7-20芳基羰基的取代基取代。M2为包含一个或多个环状结构部分的重复单元；以及n为2-5,000的整数。

主权项

1.一种下式聚合物：其中M₁为任选取代的二噻吩并邻苯二甲酰亚胺：其中X为N或C-R，其中R为H或C_1-40烷基，R¹在每次出现时独立地选自H、C_1-40烷基、C_2-40链烯基、C_1-40卤代烷基和单环或多环结构部分，其中C_1-40烷基、C_2-40链烯基和C_1-40卤代烷基各自可以任选被1-10个独立地选自卤素、-CN、-NO₂、OH、-NH₂、-NH(C_1-20烷基)、-N(C_1-20烷基)₂、-S(O)₂OH、-CHO、-C(O)-C_1-20烷基、-C(O)OH、-C(O)-OC_1-20烷基、-C(O)NH₂、-C(O)NH-C_1-20烷基、-C(O)N(C_1-20烷基)₂、-OC_1-20烷基、-SiH₃、-SiH(C_1-20烷基)₂、-SiH₂(C_1-20烷基)和-Si(C_1-20烷基)₃的取代基取代；以及单环或多环结构部分可以经由任选的连接基与酰亚胺氮共价键合并且可以任选被1-5个独立地选自卤素、氧代、-CN、-NO₂、OH、=C(CN)₂、-NH₂、-NH(C_1-20烷基)、-N(C_1-20烷基)₂、-S(O)₂OH、-CHO、-C(O)OH、-C(O)-C_1-20烷基、-C(O)-OC_1-20烷基、-C(O)NH₂、-C(O)NH-C_1-20烷基、-C(O)N(C_1-20烷基)₂、-SiH₃、-SiH(C_1-20烷基)₂、-SiH₂(C_1-20烷基)、-Si(C_1-20烷基)₃、-O-C_1-20烷基、-O-C_1-20链烯基、-O-C_1-20卤代烷基、C_1-20烷基、C_1-20链烯基、C_1-20卤代烷基、C_7-20芳基烷基、C_6-20芳氧基和C_7-20芳基羰基的取代基取代，M₂为包含一个或多个环状结构部分的重复单元；以及n为2-5,000的整数。