[发明专利]使用基于模型的控制来处理基板的方法和设备有效
申请号: | 201280033269.9 | 申请日: | 2012-07-12 |
公开(公告)号: | CN103650109B | 公开(公告)日: | 2016-11-09 |
发明(设计)人: | 基思·布赖恩·波特豪斯;约翰·W·莱恩;麻里乌斯·格雷戈尔;尼尔·玛丽;迈克尔·R·赖斯;亚历克斯·明科维奇;洪斌·李;德米特里·A·季利诺 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/205 | 分类号: | H01L21/205;H01L21/3065;H01L21/02 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国;赵静 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本文披露方法和设备。在一些实施方式中,控制处理腔室的方法可包括预先确定作为工艺参数的函数的排放阀的位置与处理容积中的压力之间的关系;将处理腔室设定成第一状态,第一状态具有处理容积中的第一压力和工艺参数的第一值,其中将排放阀依据预定关系设定到第一位置以在第一值下产生第一压力;当将处理腔室从第一状态变成第二状态时,确定压力控制分布以控制压力,其中第二状态具有第二压力和工艺参数的第二值;以及在使处理腔室变成第二状态时,通过改变排放阀的位置,以应用压力控制分布来控制压力。 | ||
搜索关键词: | 使用 基于 模型 控制 处理 方法 设备 | ||
【主权项】:
一种控制具有处理容积的处理腔室的方法,所述方法包括以下步骤:预先确定作为工艺参数的函数的排放阀的位置与所述处理容积中的压力之间的关系;将所述处理腔室设定成第一状态,所述第一状态具有所述处理容积中的第一压力和所述工艺参数的第一值,其中将所述排放阀依据所述预定关系设定到第一位置,以在所述第一值下产生所述处理容积中的所述第一压力;当所述处理腔室从所述第一状态变成第二状态时,确定压力控制分布,以控制所述处理容积中的所述压力,所述第二状态具有第二压力和所述工艺参数的第二值,其中所述压力控制分布由基于模型的控制算法确定,所述控制算法使用所述第一压力、所述第二压力、所述第一值、所述第二值和所述第一位置作为输入参数;以及在使所述处理腔室从所述第一状态变成所述第二状态时,通过改变所述排放阀的所述位置,以应用所述压力控制分布来控制所述处理容积中的所述压力。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造