[发明专利]真空成膜装置有效

专利信息
申请号: 201280033408.8 申请日: 2012-07-05
公开(公告)号: CN103649370A 公开(公告)日: 2014-03-19
发明(设计)人: 玉垣浩;芳贺润二 申请(专利权)人: 株式会社神户制钢所
主分类号: C23C16/458 分类号: C23C16/458;C23C16/509;C23C16/515
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 闫小龙;王忠忠
地址: 日本兵库*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明的真空成膜装置是在基材形成皮膜的真空成膜装置,具备:真空腔室;对所述真空腔室内进行真空排气的真空排气单元;以自转的状态保持作为成膜对象的所述基材的多个自转保持部;以及使所述多个自转保持部在与各自转保持部的旋转轴平行的公转轴周围进行公转的公转机构,所述多个自转保持部被分为多个组,以按每个组成为不同的电位的方式对各自转保持部供给电力。例如,各组按时间交替地重复成为负的电极而作为在辉光放电等离子体生成中起到主体性的作用的作用极工作的状态和作为其异性极工作的状态。
搜索关键词: 真空 装置
【主权项】:
一种真空成膜装置,在基材形成皮膜,所述真空成膜装置的特征在于,以如下方式构成,即,具备:真空腔室;真空排气单元,对所述真空腔室内进行真空排气;多个自转保持部,以使多个旋转轴成为相互平行的方式设定,而且能在各旋转轴中一边以该旋转轴为旋转中心自转一边保持作为成膜对象的所述基材;以及公转机构,使所述多个自转保持部在与各自转保持部的旋转轴平行的公转轴周围进行公转,所述多个自转保持部被分为多个组,按每个组以使所述自转保持部成为不同的电位的方式对各自转保持部供给电力。
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