[发明专利]CVD反应器的进气机构有效
申请号: | 201280033705.2 | 申请日: | 2012-07-05 |
公开(公告)号: | CN103649369A | 公开(公告)日: | 2014-03-19 |
发明(设计)人: | H.席尔瓦;N.朱奥尔特;V.塞韦尔;F.克劳利;M.道尔斯伯格;J.林德纳 | 申请(专利权)人: | 艾克斯特朗欧洲公司 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455;C30B25/14;C23C16/30 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 侯宇 |
地址: | 德国黑*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | 本发明涉及一种CVD反应器的进气机构(2),其具有进气壳体,进气壳体具有至少一个可由第一输送管(21)输送第一处理气体的第一气体分配腔(5),第一气体分配腔(5)具有多个分别设计为管件的气体管道(8),气体管道(8)伸入安置于进气壳体壁(10)前方的排气板(14)的第一开口(16)内,并且第一处理气体通过气体管道(8)进入设置于排气板(14)下方的处理室内,并且进气机构(2)还具有设置在进气壳体壁(10)和排气板(14)之间的间隔空间(20)。设置有与进气壳体壁(10)邻接的冷却剂室(7),冷却剂可被送入冷却剂室(7)内,用于冷却进气壳体壁(10)以及与被冷却的进气壳体壁(10)传热连接的气体管道(8)的管口(8'),其中,排气板(14)与进气壳体壁(10)之间不传热,从而使得受到来自于处理室(22)的热辐射的排气板(14)相比于伸入到排气板(14)的开口(16)内的管口(8')被更大程度地加热。 | ||
搜索关键词: | cvd 反应器 机构 | ||
【主权项】:
一种CVD反应器的进气机构(2),其具有进气壳体,所述进气壳体具有至少一个可由第一输送管(21)输送第一处理气体的第一气体分配腔(5),所述第一气体分配腔(5)具有多个分别设计为管件的气体管道(8),所述气体管道(8)伸入安置于进气壳体壁(10)前方的排气板(14)的第一开口(16)内,并且所述第一处理气体通过所述气体管道(8)进入设置于所述排气板(14)下方的处理室内,并且所述进气机构(2)还具有设置在所述进气壳体壁(10)和所述排气板(14)之间的间隔空间(20),其特征在于,设置有与所述进气壳体壁(10)邻接的冷却剂室(7),冷却剂可被送入所述冷却剂室(7)内,用于冷却所述进气壳体壁(10)以及与被冷却的进气壳体壁(10)传热连接的气体管道(8)的管口(8'),其中,所述排气板(14)与所述进气壳体壁(10)之间不传热,从而使得受到来自于所述处理室(22)的热辐射的所述排气板(14)相比于伸入到所述排气板(14)的开口(16)内的管口(8')被更大程度地加热。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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