[发明专利]用于处理晶片及清洁腔室的感应等离子体源

摘要

本发明描述用于在基板上沉积材料的方法及系统。一种方法可包括以下步骤：提供处理腔室，该处理腔室分隔成第一等离子体区域及第二等离子体区域。方法可进一步包括以下步骤：将基板输送至处理腔室，其中该基板可占据第二等离子体区域的一部分。方法可额外包括以下步骤：在第一等离子体区域中形成第一等离子体，其中该第一等离子体可能未直接接触基板，且该第一等离子体可通过启动第一等离子体区域上方的至少一个成形的射频（「RF」）线圈形成。此外，方法可包括以下步骤：在基板上沉积材料以形成层，其中受第一等离子体激发的一或更多种反应物可用于沉积该材料。

主权项

一种在基板上沉积材料的方法，所述方法包含以下步骤：提供处理腔室，所述处理腔室分隔成第一等离子体区域及第二等离子体区域；将所述基板输送至所述处理腔室，其中所述基板占据所述第二等离子体区域的一部分；在所述第一等离子体区域中形成第一等离子体，其中：所述第一等离子体未直接接触所述基板；以及所述第一等离子体通过激活所述第一等离子体区域上方的至少一个成形的射频（“RF”）线圈形成；以及在所述基板上沉积所述材料以形成层，其中受所述第一等离子体激发的一种或更多种反应物用于沉积所述材料。