[发明专利]蚀刻方法和利用该蚀刻方法制备的装置有效
| 申请号： | 201280034992.9 | 申请日： | 2012-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN103703547B | 公开（公告）日： | 2017-01-18 |
| 发明（设计）人： | 穆图·塞巴斯蒂安;陈风良 | 申请（专利权）人： | 3M创新有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 顾晋伟,刘媛 |
| 地址： | 美国明*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种双ITO结构，所述双ITO结构包括铟锡氧化物(ITO)、二氧化硅(si02)(其可包含掺杂物材料)和ITO的顺序层。所述双ITO结构选择性地受图案化光致抗蚀剂掩模保护。所述顺序层利用蚀刻剂组合物以单个蚀刻步骤一起蚀刻，所述蚀刻剂组合物为包含过渡金属氯化物和盐酸(HCl)的酸性溶液。因此，所述双ITO结构利用基本上不合氟的蚀刻剂组合物进行蚀刻。 | ||
| 搜索关键词： | 蚀刻 方法 利用 制备 装置 | ||
【主权项】：
一种用于蚀刻形成于透明或半透明基底上的层状结构的方法，所述层状结构包含双ITO结构，所述双ITO结构由ITO、SiO2和ITO的顺序层组成，所述方法包括：使用图案化掩模来暴露所述层状结构的一部分；以及使所述层状结构的所述暴露部分与包含过渡金属氯化物和浓度为0.01‑1.0N的盐酸(HCl)的酸性溶液接触，以移除所述层状结构的所述暴露部分的每个层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
